二極管半導體設備的伏安特性

二極管半導體設備伏安特性是指二極管流過的電流與二極管兩端電壓之間的關係曲線。圖為極管半導體設備的伏安特性曲線。

(1) 正向特性

當VD＞0 即處於正向特性區域，正向區又分為兩段：

①當0＜VD＜Vth時，外電場不足以克服PN結的內電場，

正向電流為零，Vth稱為死區或開啟電壓

②當VD＞Vth時，內電場大為削弱，

開始出現正向電流，並按指數規律增長。

Si二極管的死區電壓Vth=0.5 V左右，Ge二極管的死區電壓Vth=0.1 V左右。

(2)反向特性

當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。

(3)反向擊穿特性

當PN結的反向電壓增加到一定數值時（VD ≤VBR），反向電流突然快速增加，此現象稱為PN結的反向擊穿。在反向區，矽二極管和鍺二極管的特性有所不同。

矽二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大